АННОТАЦИЯ
В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности; теории оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
**
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ко второму изданию 3
Предисловие к первому изданию 4
Глава I. Электронная теория проводимости 7
§ 1. Электронная теория проводимости. Закон Ома 7
§ 2. Функция распределения времен и длин свободного пробега . . 12
§ 3. Функция распределения электронов по состояниям. Средние значения физических величин 16
§ 4. Полупроводники. Классификация веществ по величине проводимости 25
§ 5. Модельные представления о проводимости полупроводников. Понятие дырки 30
§ 6. Собственная и примесная проводимость 33
Глава II. Основы зонной теории полупроводников 37
§ 7. Уравнение Шредингера для кристалла 37
§ 8. Адиабатическое приближение 39 ,
§ 9. Одноэлектронное приближение 44
§ 10. Периодическое поле решетки кристалла. Оператор трансляции 48
§ 11. Квазиимпульс 53
§ 12. Эффективная масса электрона 58
§ 13. Связь скорости с квазиимпульсом 62
§ 14. Оператор ускорения 66
§ 15. Зоны Бриллюэна 72
§ 16. Нормировка в ящике и дискретность квазиимпульса 76
§ 17. Теория квазисвободного электрона 81
§ 18. Теория квазисвязанного электрона 95
§ 19. Метод эффективной массы. Влияние внешних полей на спектр энергии кристалла 107
§ 20. Локализованные состояния 113
§ 21. Элементарная теория примесных состояний 118
§ 22. Поверхностные состояния 124
§ 23. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау 127
§ 24. Принцип Паули. Понятие металла, полупроводника и диэлектрика 132
§ 25. Основные характеристики дырки 138
§ 26. Зонная структура некоторых полупроводников 143
§ 27. Понятие о квазичастицах 158
Глава III. Статистика электронов и дырок в полупроводниках 164
§ 28. Плотность состояний 164
§ 29. Концентрация электронов и дырок 172
§ 30. Уравнение электронейтральности 180
§ 31. Собственный полупроводник 183
§ 32. Примесный полупроводник. Примесь одного вида 187
§ 33. Полупроводник, содержащий акцепторную и донорную примесь 197
§ 34. Вырожденный полупроводник 202
§ 35. Плотность состояний в магнитном поле 206
Глава IV. Кинетические явления в полупроводниках 214
§ 36. Кинетическое уравнение Больцмана 214
§ 37. Время релаксации ; 220
§ 38. Плотность электрического тока и плотность потока энергии . . 228
§ 39. Кинетические коэффициенты 232
§ 40. Электропроводность полупроводников 239
§ 41. Гальваномагнитные эффекты 247
§ 42. Эффект Холла в области примесной проводимости 256
§ 43. Эффект Холла в веществе с носителями заряда нескольких типов 263
§ 44. Зависимость коэффициента Холла от магнитного поля 269
§ 45. Магнитнорезистивный эффект 276
§ 46. Теплопроводность полупроводникоь 284
§ 47. Термоэлектрические явления 291
§ 48. Термомагнитные явления 305
§ 49. Общий анализ кинетических явлений 309
§ 50. О кинетических явлениях в полупроводниках с тензорной эффективной массой 319
§ 51. Тензорезистивный эффект. Тензочувствительность 322
§ 52. Тензорезистивный эффект. Коэффициенты пьезосопротнвления . 329
Глава V. Теория рассеяния носителей заряда 337
§ 53. Эффективное сечение рассеяния 337
§ 54. Связь времени релаксации с эффективным сечением 346
§ 55. Понятие о теории квантовых переходов 350
§ 56. Рассеяние на ионах примеси 357
§ 57. Рассеяние на нейтральных атомах примеси 364
§ 58. Колебания решетки. Нормальные координаты. Фононы 368
§ 59. Акустические и оптические колебания решетки 376
§ 60. Теплоемкость решетки. Статистика фононов 387
§ 61. Рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Метод потенциала деформации 396
§ 62. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры . . 404
§ 63. Зависимость времени релаксации от внешних полей. Нарушения закона Ома 414
Глава VI. Рекомбинация носителей заряда 421
§ 64. Уравнение непрерывности. Время жизни 421
§ 65. Механизмы рекомбинации. Линейная рекомбинация 431
§ 66. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда 442
§ 67. Поверхностная рекомбинация 449
Глава VII. Контактные явления в полупроводниках 454
§ 68. Дебаева длина экранирования 454
§ 69. Работа выхода 465
§ 70. Контактная разность потенциалов. Контакт металл — металл 469
§ 71. Контакт металл —полупроводник 474
§ 72. Неоднородный полупроводник, р-п-переход 479
Глава VIII. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках 486
§ 73. Спектр поглощения света 486
§ 74. Поглощение света свободными носителями заряда 490
§ 75. Циклотронный резонанс 499
§ 76. Собственное поглощение света 507
§ 77. Поглощение света решеткой 523
§ 78. Поглощение света электронами в локализованных состояниях 528
§ 79. Влияние внешних условий на спектр поглощения 534
§ 80. Фоторезистивный эффект 537
§ 81. Эффект Дембера. Фотогальванический эффект 546
§ 82. Фотомагнитноэлектрический эффект 554
§ 83. Эффект Фарадея 559
§ 84. Спин-орбитальное расщепление энергетических зон 568
Основные условные обозначения 575
Предметный указатель 577
